70T651S10BFG和70T651S10BFGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T651S10BFG 70T651S10BFGI 70T651S10BFG8

描述 静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM256K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sSRAM 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 CABGA-208 CABGA-208

长度 15 mm 15.0 mm 15 mm

宽度 15 mm 15 mm 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-208 CABGA-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -

存取时间 - 10 ns -

电源电压 - 2.4V ~ 2.6V -

电源电压(Max) - 2.6 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

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