SI4910DY-T1-GE3和SI4942DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4910DY-T1-GE3 SI4942DY-T1-GE3 SI4942DY-T1-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8Pin SOIC N T/RMOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOICMOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 - Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W - 1.10 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 5.30 A 7.40 A

额定功率(Max) 3.1 W 1.1 W 1.1 W

漏源极电阻 0.022 Ω - -

阈值电压 2 V - -

输入电容(Ciss) 855pF @20V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

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