对比图
型号 BQ4010YMA-200 DS1225Y-200+ DS1225AD-200IND+
描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28
工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -
存取时间 200 ns 200 ns 200 ns
内存容量 - 2000 B 8000 B
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
电源电压(DC) 5.00 V - 5.00 V, 5.50 V (max)
供电电流 50 mA - -
存取时间(Max) 200 ns - -
针脚数 - - 28
时钟频率 - - 200 GHz
长度 - 39.12 mm -
宽度 - 18.29 mm 18.29 mm
高度 - 9.4 mm -
封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -