IRF1404ZS和IRF1404ZSTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1404ZS IRF1404ZSTRLPBF JAN2N6758

描述 D2PAK N-CH 40V 190A晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 VTO-3 N-CH 200V 9A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

封装 TO-263 TO-263-3 TO-204

通道数 - - 1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 200 W 4W (Ta), 75W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 190A 190A 9A

耗散功率(Max) - 200W (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc)

额定功率 - 220 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0027 Ω -

阈值电压 - 4 V -

上升时间 - 110 ns -

输入电容(Ciss) - 4340pF @25V(Vds) -

下降时间 - 58 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

封装 TO-263 TO-263-3 TO-204

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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