对比图
型号 IXFB82N60Q3 IXFK80N60P3 IXFB82N60P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 600V 82A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
耗散功率 1.56 kW 1.3 kW 1250 W
阈值电压 - 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 13 ns 25 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 13500pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 8 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1560W (Tc) 1300W (Tc) 1250W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.077 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 82A 80A -
通道数 1 - -
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
长度 20.29 mm 19.96 mm -
宽度 5.31 mm 5.13 mm -
高度 26.59 mm 26.16 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -