SUD40N02-3M3P-E3和SUM40N02-12P-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SUD40N02-3M3P-E3 SUM40N02-12P-E3 STD44N4LF6

描述 MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252MOSFET 20V 40A 83W 12mohm @ 10VN沟道40 V , 8.9 MI © , 44采用DPAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 8.9 mΩ, 44 A DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

耗散功率 3.3W (Ta), 79W (Tc) 3.75W (Ta), 83W (Tc) 50 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 40 V

输入电容(Ciss) 6520pF @10V(Vds) 1000pF @10V(Vds) 1190pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 79W (Tc) 3.75W (Ta), 83W (Tc) 50W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0089 Ω

阈值电压 - - 1V ~ 2.5V

输入电容 - - 1190 pF

上升时间 - - 45 ns

额定功率(Max) - - 50 W

下降时间 - - 8 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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