对比图
型号 TSAL5100 TSAL6100
描述 高功率红外发光二极管， 950纳米，砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在？ 5毫米（ T- 13/4 ）包装 GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in ?5 mm (T-13/4) Package
数据手册 --
制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 发光二极管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 2 2
封装 T-1 T-1
正向电压 1.35 V 1.35 V
波长 940 nm 940 nm
视角 20° 20°
峰值波长 940 nm 940 nm
耗散功率 160 mW 160 W
上升时间 800 ns 800 ns
测试电流 100 mA 100 mA
正向电流 100 mA 100 mA
正向电压(Max) 1.6 V 2.6 V
正向电流(Max) 100 mA 100 mA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 160 mW 160 mW
电源电压(DC) - 1.60 V
额定电压(DC) - 2.60 V
上升/下降时间 - 0.8 µs
针脚数 - 2
封装 T-1 T-1
高度 - 8.7 mm
脚长度 - 25.7 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
包装方式 Bulk Bulk
产品生命周期 - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99