对比图
型号 IXFN60N80P IXFN62N80Q3 APT8014JLL
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备SOT-227 N-CH 800V 42A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
安装方式 Panel - Screw
通道数 1 1 -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 1.04 kW 960 W 595 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 49A 42.0 A
上升时间 29 ns 20 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 18000pF @25V(Vds) 13600pF @25V(Vds) 7238pF @25V(Vds)
下降时间 26 ns 11 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 960W (Tc) 595W (Tc)
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 42.0 A
输入电容 - - 7.24 nF
栅电荷 - - 285 nC
额定功率(Max) 1040 W - 595 W
针脚数 4 - -
漏源极电阻 140 mΩ - -
阈值电压 5 V - -
漏源击穿电压 800 V - -
长度 38.23 mm 38.23 mm -
宽度 25.42 mm 25.07 mm -
高度 9.6 mm 9.6 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -