JAN2N6284和JANTX2N6284

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6284 JANTX2N6284 2N6284G

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  2N6284G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 20.0 A

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 20 A

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 175 W 175 W 160 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 20A 20A 20A

最小电流放大倍数(hFE) 1250 @10A, 3V 1250 @10A, 3V 750 @10A, 3V

最大电流放大倍数(hFE) - - 18000

额定功率(Max) 175 W 175 W 160 W

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 175000 mW 175000 mW 160000 mW

输入电压 - - 5 V

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台