APT5024BVR和APT5024BVRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5024BVR APT5024BVRG 5024

描述 TO-247 N-CH 500V 22ATrans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(3+Tab) TO-247Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 22A 22.0 A -

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 22.0 A -

耗散功率 - 280 W -

输入电容 - 4.32 nF -

栅电荷 - 210 nC -

上升时间 - 10 ns -

输入电容(Ciss) - 3600pF @25V(Vds) -

下降时间 - 7 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 280000 mW -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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