PBSS5240V和PBSS5240V,115

对比图

型号 PBSS5240V PBSS5240V,115

描述 40伏的低VCEsat晶体管PNP晶体管 40 V low VCEsat PNP transistorSOT-666 PNP 40V 1.8A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-666 SOT-666

频率 - 150 MHz

极性 PNP PNP

耗散功率 - 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 1.8A 1.8A

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @100mA, 5V

额定功率(Max) - 900 mW

额定功率 - -

最大电流放大倍数(hFE) - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

封装 SOT-666 SOT-666

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -