BSC020N03LSGATMA1和FDMS8672AS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC020N03LSGATMA1 FDMS8672AS FDMS8662

描述 TDSON N-CH 30V 28AN沟道PowerTrench㈢ SyncFET 30V , 28A , 5.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 28A, 5.0mヘN沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30V , 49A , 2.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 49A, 2.0mヘ

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8

引脚数 8 - -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 5 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 28A 28A 28A

上升时间 7 ns 4 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 7200pF @15V(Vds) 2600pF @15V(Vds) 6420pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 7 ns 3 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)

额定功率 96 W - -

输入电容 2100 pF - -

长度 5.49 mm 6 mm 6 mm

宽度 5.15 mm 5 mm 5 mm

高度 1.27 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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