BZT03-C18和BZT03C18-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT03-C18 BZT03C18-TAP 933601570133

描述 稳压二极管 Voltage regulator diodes1.3W,BZT03 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 SOD-57 SOD-57 -

耗散功率 3.25 W 1.3 W -

测试电流 - 25 mA -

稳压值 18 V 18 V -

脉冲峰值功率 - 600 W -

最小反向击穿电压 - 16.8 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

长度 - 4 mm -

宽度 - 3.6 mm -

高度 - 3.6 mm -

封装 SOD-57 SOD-57 -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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