BSP171P和BSP171PL6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP171P BSP171PL6327 BSP171P L6327

描述 INFINEON  BSP171P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 VTransistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223INFINEON  BSP171P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 SOT-223-4 TO-261 TO-261-4

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -1.90 A -1.90 A

额定功率 - 1.6 W -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.8 W 1.50 W 1.8 W

输入电容 - 460 pF 460 pF

栅电荷 - 1.60 nC 1.60 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 1.45 A 1.90 A 1.45 A

输入电容(Ciss) 365pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.8 W 1.8 W

针脚数 4 - 4

漏源极电阻 400 mΩ - 0.21 Ω

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

阈值电压 1.5 V - -

上升时间 25 ns - -

下降时间 87 ns - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W - -

封装 SOT-223-4 TO-261 TO-261-4

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

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