CY7C1568KV18-550BZXC和CY7C1568XV18-600BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1568KV18-550BZXC CY7C1568XV18-600BZXC CY7C1568KV18-550BZXI

描述 72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture72兆位的DDR II的Xtreme SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit DDR II Xtreme SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - 18 18

存取时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台