DTD113EKT146和DTD113ES

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTD113EKT146 DTD113ES DTD113EA

描述 ROHM  DTD113EKT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 33 hFE数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATR, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SPT -

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 30 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 500 mA - -

额定功率 0.2 W - -

耗散功率 200 mW - -

最小电流放大倍数(hFE) 33 @50mA, 5V - -

额定功率(Max) 200 mW - -

直流电流增益(hFE) 33 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 200 MHz - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

封装 SOT-23-3 SPT -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.2 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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