BFR182和MMBT5179

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR182 MMBT5179 BFP181

描述 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5179  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, 25 hFENPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-143

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-143

长度 - 2.92 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.93 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

频率 - 2000 MHz -

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

增益 - 15 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @3mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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