JANS2N6849和JANTXV2N6849

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N6849 JANTXV2N6849

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39 T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 TO-205 TO-205

安装方式 - -

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW

耗散功率 - -

漏源极电压(Vds) - -

上升时间 - 92 ns

下降时间 - 58 ns

封装 TO-205 TO-205

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -55℃ ~ 125℃

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