对比图
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-220SIS N-CH 600V 20A
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 25 W 45 W
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 15A 20A
输入电容(Ciss) 1240pF @100V(Vds) 1470pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 45 W
通道数 1 -
针脚数 3 -
漏源极电阻 220 mΩ -
阈值电压 4 V -
漏源击穿电压 650 V -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 25W (Tc) -
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm -
宽度 4.6 mm -
高度 16.4 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
香港进出口证 - NLR