对比图
型号 IRFZ14PBF IXTP1N100 NTP30N20G
描述 功率MOSFET Power MOSFETTO-220AB N-CH 1000V 1.5ANA ????通道Enhancementâ ????模式TOA ???? 220 NâChannel EnhancementâMode TOâ220
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) IXYS Semiconductor ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V - 200 V
额定电流 10.0 A - 30.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.2 Ω - 68 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 43 W 54 W 214 W
漏源极电压(Vds) 60 V 1000 V 200 V
漏源击穿电压 60.0 V - 200 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 1.5A 30.0 A
上升时间 50 ns 19 ns 20.0 ns
输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 2335pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 43 W - 214 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 43 W 54W (Tc) 214W (Tc)
针脚数 3 - -
阈值电压 2 V - -
下降时间 19 ns 18 ns -
长度 10.41 mm - 10.28 mm
宽度 4.7 mm - 4.82 mm
高度 9.01 mm - 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube - Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99