IRFZ14PBF和IXTP1N100

对比图

型号 IRFZ14PBF IXTP1N100 NTP30N20G

描述 功率MOSFET Power MOSFETTO-220AB N-CH 1000V 1.5ANA ????通道Enhancementâ ????模式TOA ???? 220 N−Channel Enhancement−Mode TO−220

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) IXYS Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V - 200 V

额定电流 10.0 A - 30.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.2 Ω - 68 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 43 W 54 W 214 W

漏源极电压(Vds) 60 V 1000 V 200 V

漏源击穿电压 60.0 V - 200 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 1.5A 30.0 A

上升时间 50 ns 19 ns 20.0 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 2335pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 43 W - 214 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 43 W 54W (Tc) 214W (Tc)

针脚数 3 - -

阈值电压 2 V - -

下降时间 19 ns 18 ns -

长度 10.41 mm - 10.28 mm

宽度 4.7 mm - 4.82 mm

高度 9.01 mm - 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube - Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99