INA111BU和INA114BU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 INA111BU INA114BU INA114APG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  INA111BU  仪器放大器, 1个放大器, 500 µV, 17 V/µs, 2 MHz, ± 6V 至 ± 18V, SOICTEXAS INSTRUMENTS  INA114BU  仪器放大器, 1个放大器, 50 µV, 0.06 V/µs, 1 MHz, ± 2.25V 至 ± 18V, WSOICTEXAS INSTRUMENTS  INA114APG4  仪器放大器, 1个放大器, 125 µV, 0.6 V/µs, 1 MHz, ± 2.25V 至 ± 18V, DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器仪表放大器仪表放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 16 16 8

封装 SOIC-16 SOIC-16 DIP-8

电源电压(DC) 15.0 V 15.0 V 15.0 V

供电电流 3.3 mA 2.2 mA 2.2 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 16 16 8

共模抑制比 115 dB 120 dB 115 dB

静态电流 3.30 mA 2.20 mA 2.20 mA

带宽 2 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 17.0 V/μs 60.0 mV/μs 600 mV/μs

输入补偿电压 100 µV 50 µV 125 µV

输入偏置电流 2 pA 500 pA 500 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 2 MHz 1 MHz 1 MHz

增益带宽 - - 110 dB

共模抑制比(Min) 80 dB 115 dB 110 dB

电源电压(Max) 30V ~ 50V 30V ~ 50V 30V ~ 50V

电源电压(Min) 12 V 4.5 V 4.5 V

增益频宽积 - 1 MHz -

增益 1.00 kdB - -

宽度 7.52 mm 7.52 mm 6.35 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 DIP-8

长度 - 10.28 mm -

高度 - 2.35 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2014/12/17

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