MPS8099和MPS8099G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS8099 MPS8099G MPS8099RLRMG

描述 放大器晶体管 Amplifier TransistorsON SEMICONDUCTOR  MPS8099G  放大器晶体管放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 - 150 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

针脚数 - 3 -

极性 - NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V

热阻 - 83.3℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) - 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 150 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

长度 5.2 mm 5.2 mm 5.2 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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