AUIRFP064N和IRFP064NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFP064N IRFP064NPBF IRFP064

描述 INFINEON  AUIRFP064N  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRFP064NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.008 Ω 0.008 Ω -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 200 W 150 W -

阈值电压 2 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 110A 110A -

上升时间 100 ns 100 ns -

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) -

下降时间 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) -

额定功率 - 150 W -

输入电容 - 4000pF @25V -

漏源击穿电压 - 55 V -

额定功率(Max) - 200 W -

长度 15.87 mm 15.9 mm -

宽度 5.31 mm 5.3 mm -

高度 20.7 mm 20.3 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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