对比图
型号 AUIRFP064N IRFP064NPBF IRFP064
描述 INFINEON AUIRFP064N 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 VINFINEON IRFP064NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.008 Ω 0.008 Ω -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 200 W 150 W -
阈值电压 2 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 110A 110A -
上升时间 100 ns 100 ns -
输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) -
下降时间 70 ns 70 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) -
额定功率 - 150 W -
输入电容 - 4000pF @25V -
漏源击穿电压 - 55 V -
额定功率(Max) - 200 W -
长度 15.87 mm 15.9 mm -
宽度 5.31 mm 5.3 mm -
高度 20.7 mm 20.3 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 -
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -