BSC027N04LSG和BSC520N15NS3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC027N04LSG BSC520N15NS3G SI7738DP-T1-GE3

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-Transistor150V,21A,N沟道功率MOSFETMOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-5 SO-8

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) - 150 V 150 V

耗散功率 2.5 W - 5.4W (Ta), 96W (Tc)

连续漏极电流(Ids) - - 30.0 A

输入电容(Ciss) 5100pF @20V(Vds) - 2100pF @75V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) - 5.4W (Ta), 96W (Tc)

通道数 1 - -

阈值电压 1.2 V - -

上升时间 5.6 ns - -

下降时间 6.2 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-5 SO-8

宽度 5.15 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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