TLV2772AID和TLV2772CD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2772AID TLV2772CD TLV2772IDG4

描述 CMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas InstrumentsCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 5.50 V 5.50 V

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 1 mA 1 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 60 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 5.1 MHz 5.1 MHz 4.8 MHz

转换速率 10.5 V/μs 10.5 V/μs 10.5 V/μs

增益频宽积 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

过温保护 - No No

输入补偿电压 500 µV 2.5 mV 500 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 60 dB

电源电压 2.5V ~ 6V 2.5V ~ 6V 2.5V ~ 6V

电源电压(Max) - 6 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

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