RF1S50N06SM和RF1S50N06SM9A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RF1S50N06SM RF1S50N06SM9A HUF75329S3ST

描述 50A , 60V , 0.022 Ohm的N通道功率MOSFET 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETsN沟道 60V 50ATrans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 49.0 A

耗散功率 - 131 W 128 W

上升时间 - 55 ns -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

漏源极电阻 - - 24.0 mΩ

漏源击穿电压 - - 55.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台