对比图
型号 FQB44N10 FQB44N10TM_NL FQB44N10TM
描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETD2PAK N-CH 100V 43.5AQFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
封装 D2PAK D2PAK TO-263-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 43.5A 43.5A 43.5 A
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 43.5 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 0.039 Ω
耗散功率 - - 3.75 W
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
上升时间 - - 190 ns
输入电容(Ciss) - - 1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.75 W
下降时间 - - 100 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 3.75 W
封装 D2PAK D2PAK TO-263-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99