LM293DR2G和LM293DT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM293DR2G LM293DT LM293DG

描述 ON SEMICONDUCTOR  LM293DR2G  标准恢复功率整流器STMICROELECTRONICS  LM293DT  模拟比较器, 双路, 电压, 2, 1.3 µs, 2V 至 36V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  LM293DG  模拟比较器, 双路, 精度, 2, 1.3 µs, 2V 至 36V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 比较器比较器比较器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.00V (min) 2.00V (min) 2.00V (min)

工作电压 2V ~ 36V 2V ~ 36V 2V ~ 36V

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

输出电流 16mA @5V 18mA @5V 16mA @5V

供电电流 1 mA 1 mA 0.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 570 mW 710 W 570 mW

输入补偿电压 5 mV 5 mV 5 mV

输入偏置电流 250 nA 250 nA 25 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -40 ℃ -25 ℃

耗散功率(Max) 570 mW - 570 mW

电源电压 2V ~ 36V 2V ~ 36V 2V ~ 36V

电源电压(Max) 36 V 36 V 36 V

电源电压(Min) 2 V 2 V 2 V

静态电流 400 µA 0.6 mA -

热阻 - 125 ℃/W -

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -25℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃ -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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