IXFV22N50PS和IXTV22N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV22N50PS IXTV22N50P IXFV22N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 PLUS-220SMD TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 22.0 A 22.0 A 22.0 A

耗散功率 350W (Tc) 350W (Tc) 350 W

输入电容 2.63 nF 2.63 nF 2.63 nF

栅电荷 50.0 nC 50.0 nC 50.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 22.0 A 22.0 A 22.0 A

输入电容(Ciss) 2630pF @25V(Vds) 2630pF @25V(Vds) 2630pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 350W (Tc) 350W (Tc) 350W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 270 mΩ - 270 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

漏源击穿电压 500 V - 500 V

上升时间 - - 25 ns

下降时间 - - 21 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 PLUS-220SMD TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 11 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台