SM8S18A-E3/2D和SM8S18AHE3/2D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S18A-E3/2D SM8S18AHE3/2D

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 18V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/RESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S18AHE3_A/I

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB-2

引脚数 - 2

击穿电压 20 V 20 V

耗散功率 6.6 kW -

钳位电压 29.2 V 29.2 V

脉冲峰值功率 6600 W 6.6 kW

最小反向击穿电压 20 V 20 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

工作电压 - 18 V

最大反向击穿电压 - 22.1 V

封装 DO-218AB DO-218AB-2

长度 - 13.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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