IXFH96N20P和IXTH96N20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH96N20P IXTH96N20P IXTQ102N20T

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH96N20P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 96 A, 200 V, 24 mohm, 10 V, 5 VTO-3P N-CH 200V 102A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 600 W 600 W 750W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 96A 96.0 A 102A

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 750W (Tc)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.024 Ω 0.024 Ω -

阈值电压 5 V 5 V -

上升时间 30 ns 30 ns -

下降时间 30 ns 30 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 1 - -

额定功率(Max) 600 W - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR -

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