SI3442BDV-T1-E3和SI3442BDV-T1-GE3

对比图

型号 SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-GE3

描述 N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY  SI3442BDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOP TSOP-6

针脚数 6 6

漏源极电阻 0.045 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 860 mW 1.67 W

阈值电压 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 4.20 A

上升时间 50 ns -

下降时间 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 0.86 W -

长度 3.05 mm -

宽度 1.65 mm -

高度 1 mm -

封装 TSOP TSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99