1N2989BE3和JAN1N2989A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N2989BE3 JAN1N2989A JANTXV1N2989B

描述 DO-4 30V 10W10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-4 DO-4 DO-4

引脚数 - - 2

封装 DO-4 DO-4 DO-4

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Tray

耗散功率 10 W - 10 W

稳压值 30 V - 30 V

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.5V @2A

测试电流 - - 85 mA

额定功率(Max) - - 10 W

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

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