对比图
型号 FDG311N FDG327N FDG327NZ
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG311N, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG327N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.057 ohm, 4.5 V, 700 mVON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG327NZ, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-363 SC-70-6 SC-70
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.082 Ω 0.057 Ω 0.068 Ω
耗散功率 0.75 W 420 mW 0.42 W
阈值电压 900 mV 700 mV 700 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
上升时间 9 ns 6.5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 270pF @10V(Vds) 423pF @10V(Vds) 412pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 480 mW 380 mW 380 mW
下降时间 2 ns 2 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 750 mW 420mW (Ta) 420 mW
额定电压(DC) - 20.0 V -
额定电流 - 1.50 A -
极性 - N-Channel -
输入电容 - 423 pF -
栅电荷 - 4.50 nC -
漏源击穿电压 - -60.0 V -
栅源击穿电压 - ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) - 1.50 A -
长度 2 mm 2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SOT-363 SC-70-6 SC-70
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99 -