IRFP360和IRFP360PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP360 IRFP360PBF IRFM360DPBF

描述 Trans MOSFET N-CH Si 400V 23A 3Pin(3+Tab) TO-247ADMOSFET N-CH 400V 23A TO-247ACPower Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

耗散功率 - 280 W -

漏源极电压(Vds) - 400 V -

上升时间 - 79 ns -

输入电容(Ciss) - 4500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 280 W -

下降时间 - 67 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 280W (Tc) -

通道数 1 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

宽度 5.31 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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