对比图
型号 IRF5305S IRF5305SPBF
描述 D2PAK P-CH 55V 31AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263 TO-263-3
额定电压(DC) -55.0 V -
额定电流 -31.0 A -
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.06 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 110 W 110 W
产品系列 IRF5305S -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V
漏源击穿电压 -55.0 V -
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A
上升时间 66 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.8 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
下降时间 63 ns 63 ns
耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 110W (Tc)
额定功率 - 110 W
通道数 - 1
阈值电压 - 4 V
长度 - 10.67 mm
高度 - 4.83 mm
封装 TO-263 TO-263-3
宽度 - 9.65 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - -