对比图
型号 IRFR18N15D IRFR18N15DPBF IRFR18N15DTRPBF
描述 DPAK N-CH 150V 18AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。晶体管, MOSFET, SMPS, N沟道, 18 A, 150 V, 0.125 ohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 110 W 110 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.125 Ω 0.125 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110W (Tc) 110 W 110 W
阈值电压 - 5.5 V 5.5 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18A 18A
上升时间 25 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 110 W
下降时间 9.8 ns 9.8 ns 9.8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 150 V 150 V -
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 18.0 A - -
产品系列 IRFR18N15D - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.39 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -