BSC100N03MSGATMA1和FDMS8670AS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC100N03MSGATMA1 FDMS8670AS BSC0902NS

描述 INFINEON  BSC100N03MSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 VN沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V , 42A , 3.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V, 42A, 3.0mヘINFINEON  BSC0902NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 PG-TDSON-8

额定功率 30 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0083 Ω - 0.0022 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 30 W 2.5 W 48 W

阈值电压 2 V - 1.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 12A 23A 24A

上升时间 4.8 ns 5 ns 5.2 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) 3615pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)

下降时间 5.4 ns 4 ns 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)

额定功率(Max) - 2.5 W 48 W

长度 5.9 mm 6 mm 5.9 mm

宽度 5.15 mm 5 mm 5.15 mm

高度 1.27 mm 1.1 mm 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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