对比图
型号 AVD150 MSC1175M MRF1090MB
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPNTrans RF BJT NPN 65V 0.013A 3Pin Case M218微波功率晶体管NPN硅 MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Chassis Chassis
引脚数 - 3 4
封装 - M218 332A-03
耗散功率 - 400000 mW 290 W
增益 - 8 dB 10.8 dB
工作温度(Max) - 250 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 400000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - - 70 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @2.5A, 5V
额定功率(Max) - - 90 W
高度 - 5.84 mm -
封装 - M218 332A-03
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Tray
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99