对比图
型号 APT17N80SC3G SPB17N80C3 STB18NM80
描述 D3PAK N-CH 800V 17AINFINEON SPB17N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-268-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 800 V 800 V -
额定电流 17.0 A 17.0 A -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 208W (Tc) 227 W 190 W
输入电容 2.25 nF - -
栅电荷 90.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 17.0 A 17A
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2300pF @100V(Vds) 2070pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) 208W (Tc) 227W (Tc) 190W (Tc)
额定功率 - 227 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.25 Ω
阈值电压 - 3 V 4 V
上升时间 - 15 ns 28 ns
额定功率(Max) - 227 W 190 W
下降时间 - 12 ns 50 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
正向电压(Max) - - 1.6 V
封装 TO-268-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.31 mm 10.75 mm
宽度 - 9.45 mm 10.4 mm
高度 - 4.57 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -