对比图
型号 BSP297L6327 FDD7N20TM PHD9NQ20T,118
描述 Mosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD7N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 VDPAK N-CH 200V 8.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-261 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 660 mA - -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 1.50 W 43 W 88 W
输入电容 45.0 pF - -
栅电荷 1.50 nC - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 200 mA 5A 8.7A
输入电容(Ciss) 357pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.8 W 43 W 88 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.58 Ω -
阈值电压 - 5 V -
漏源击穿电压 - 200 V -
上升时间 - 30 ns 19 ns
下降时间 - 10 ns 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 43 W 88W (Tc)
封装 TO-261 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -