GBJ25M和GBJL2510-BP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBJ25M GBJL2510-BP KBJ2510G

描述 SINTERED GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERGBJL2510-BP 停产GENESIC SEMICONDUCTOR KBJ2510G Bridge Rectifier Diode, Single, 1kV, 25A, SIP, 1.05V, 4Pins

数据手册 ---

制造商 Zowie Technology (智威) Micro Commercial Components (美微科) GeneSiC Semiconductor

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 - SIP-4 SIP-4

正向电压 - 1.05V @12.5A 1.05V @12.5A

正向电流 - 25 A 25 A

正向电压(Max) - - 1.05 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

最大反向电压(Vrrm) - 1000V -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 350 A -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

高度 - 14.6 mm 15.3 mm

封装 - SIP-4 SIP-4

长度 - 27.7 mm -

宽度 - 4 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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