DMP2066LSS-13和HP4936DY

对比图

型号 DMP2066LSS-13 HP4936DY

描述 P沟道 20V 6.5APower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Harris

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 8 -

封装 SOP-8 -

通道数 1 -

漏源极电阻 40 mΩ -

极性 P-CH -

耗散功率 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 20 V -

漏源击穿电压 20 V -

连续漏极电流(Ids) 6.5A -

上升时间 14 ns -

输入电容(Ciss) 820pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W -

下降时间 35.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) -

长度 5.3 mm -

宽度 4.1 mm -

高度 1.5 mm -

封装 SOP-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 EAR99 -