对比图
型号 199D105X0025A6B1E3 199D105X0035A6B1E3 199D105X9035A6B1E3
描述 Cap Tant Solid 1uF 25V 20% (4.4 X 9.61mm) Radial 5.08mm 125℃ T/RCap Tant Solid 1uF 35V 20% (4.4 X 9.61mm) Radial 5.08mm 125℃ T/R199D 系列 1 uF ±10 % 35 V 径向 固体电解质钽电容
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 电容电容钽电容
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 - - Radial
电容 1.00 µF 1.00 µF 1 μF
容差 ±20 % ±20 % ±10 %
工作温度(Max) - - 125 ℃
额定电压 25 V 35 V 35 V
高度 - - 9.61 mm
封装 - - Radial
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
包装方式 Bulk Bulk -