2N3847和JANTXV2N3847

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3847 JANTXV2N3847

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

封装 TO-63 TO-63

引脚数 3 -

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V

集电极最大允许电流 - 20A

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 4000 mW -

封装 TO-63 TO-63

产品生命周期 Active Obsolete

材质 Silicon -

RoHS标准 Non-Compliant -

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