BZT52H-C30,115和BZT52H-B30,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C30,115 BZT52H-B30,115 BZT52H-C30

描述 BZT52H 系列 30 V 375 mW 表面贴装 单 齐纳 二极管 - SOD123FSOD-123F 30V 830mWZener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 - -

封装 SOD-123F SOD-123F -

容差 ±5 % ±2 % -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

耗散功率 375 mW 830 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 30 V 30 V -

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 375 mW 375 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW -

长度 2.7 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.2 mm - -

封装 SOD-123F SOD-123F -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 26.9 mV/℃ 26.9 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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