IRFF9230PBF和JANS2N6851

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFF9230PBF JANS2N6851 IRFF9230

描述 TO-39P-CH 200V 4ATO-39P-CH 200V 4A-4.0A , -200V , 0.800欧姆,P沟道功率MOSFET -4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-39 TO-39 -

引脚数 - 3 -

极性 P-CH P-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 4A 4A -

输入电容(Ciss) - 700pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 25000 mW -

封装 TO-39 TO-39 -

产品生命周期 Active Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

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