对比图
型号 CY7C1412KV18-250BZC CY7C1412KV18-250BZCT CY7C1412KV18-250BZXC
描述 36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 36Mb 1.8V 250Mhz 2M x 18 QDR II 静态随机存取存储器CY7C1412BV18 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 1.8V QDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-165
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 - 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 610 mA - -
时钟频率 250 MHz - -
位数 18 18 18
存取时间 1 ms - -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V - -
电源电压(Min) 1.7 V - -
高度 0.89 mm - 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a - -