IS43DR16160A-3DBLI-TR和IS43DR16160B-3DBLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16160A-3DBLI-TR IS43DR16160B-3DBLI-TR

描述 动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 333MHz DDR2 1.8v动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 BGA-84 BGA-84

位数 16 16

存取时间 3 ns 450 ps

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 95 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 BGA-84 BGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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