MBR20100CT-G1和MBR20100CT-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBR20100CT-G1 MBR20100CT-E3/4W STPS20S100CT

描述 MBR20100CT-G1 管装TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay SemiconductorSTPS20S100C 系列 100 V 10 A 法兰安装 功率 肖特基 整流器 - TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 TVS二极管二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 0.85 V 0.95 V 850mV @10A

热阻 - 2℃/W (RθJC) -

正向电流 10000 mA 10 A 20000 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 150 A 180 A

正向电压(Max) 840mV @10A 800mV @10A 850mV @10A

正向电流(Max) 10000 mA 20 A 20000 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

针脚数 - - 3

工作结温 - - 175℃ (Max)

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 15.32 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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